今年DRAM市場供不應求且價格持續(xù)調漲，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠的資本支出動向備受市場關注。根據(jù)模組業(yè)者消息，三星原本計劃用來大擴存儲器產(chǎn)能的Line 18，已決定轉向建置晶圓代工生產(chǎn)線，SK海力士、美光的投資只用于1x/1y納米制程升級，沒有擴建新晶圓廠打算。

　　由此來看，DRAM市況可望一路好到明年，包括下半年DRAM價格會逐季調漲，明年價格走勢看來也是易漲難跌。法人看好南亞科、華邦電、創(chuàng)見、威剛、宜鼎等DRAM廠及模組廠營運表現(xiàn)，不僅營收及獲利將逐季成長到年底，明年營運表現(xiàn)會比今年更好。

　　今年以來DRAM市場供給吃緊且價格逐季調漲，以下半年市況來看，DRAM缺貨問題仍然難以紓解，標準型、服務器DRAM第三季合約價將再漲5～10%，行動式DRAM及利基型DRAM合約價將再漲3～5%。第四季因為是傳統(tǒng)旺季，業(yè)者推估價格將續(xù)漲5%左右。

　　由于DRAM供不應求已影響到PC及手機出貨，在客戶壓力下，三大DRAM廠仍決定透過現(xiàn)有廠房提高投片量，或透過制程微縮來增加產(chǎn)能，并沒有任何興建新DRAM廠計劃。

　　龍頭大廠三星的下半年DRAM產(chǎn)能已全數(shù)賣光，現(xiàn)在可能會把Line 17廠部份NAND Flash產(chǎn)能移轉到平澤(Pyeongtaek)廠，再想辦法在Line 17現(xiàn)有廠房中再擠出4～5萬片DRAM產(chǎn)能，但相關產(chǎn)能開出應會在明年下半年。至于原本計劃用來擴大存儲器產(chǎn)能的Line 18廠，現(xiàn)在看來將以晶圓代工產(chǎn)能為主體，不會對DRAM市場供需造成影響。

　　SK海力士雖宣布大舉拉高今年資本支出37%至9.6兆韓元(約86億美元)，擴充大陸無錫DRAM廠及韓國清州(Cheongju)NAND Flash廠設備投資，希望產(chǎn)能建置提前在2018年第四季完成，但因資金多用于技術升級，產(chǎn)能只會增加3～5%，不會對市場供需造成沖擊。另外，SK海力士已想辦法在M14廠擠出2萬片空間建置新生產(chǎn)線，產(chǎn)能開出也得等到明年下半年。

　　美光的日本廣島廠及桃園廠已滿載投片，臺中廠第二期開始建置17納米產(chǎn)能，仍有可擴充3～4萬產(chǎn)能空間，但美光目前投資重點在于如何將DRAM制程由20納米轉入17納米，明年底前應看不到新產(chǎn)能開出。

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